半导体IC封装石墨模具的特点

适用场景：陶瓷管壳IC、功率IC、厚膜电路、共烧陶瓷基板等真空高温烧结封装，原料多为高纯等静压石墨，部分带SiC抗氧化涂层。

核心优点

1. 耐高温，高温尺度稳定性好:石墨升华温度高达3650℃，IC陶瓷封装烧结温度一般1200～1700℃区间完全适用；热膨胀系数极低且各向同性，高温下模具变形微小，保证多腔产品位置度、外形尺度精度，操控IC 管壳引脚偏移。

2. 优异的均热性能:导热性能好，整套模具作为均热载体，炉内热场均匀传递到每一个型腔，减少腔位温差，防止IC生坯部分过热，下降翘曲、分层、金属化色差、器材性能不一致等不良。

3. 高纯低杂质，低放气，防器材漏电:选用高纯石墨，金属杂质含量极低；真空高温环境出气量小，不会分出重金属杂质污染IC芯片与金属化层，防止封装后漏电、可靠性失效，满足半导体洁净要求。

4. 可精细CNC加工:石墨资料易切削，可加工微小型腔、定位销孔、细微排气槽、限位台阶，能实现多腔一体化排布，适配小型化IC管壳精细结构。

5. 不润湿金属浆料，脱模性好:熔融金属化浆料不会滋润石墨表面，烧结完成后IC坯体不易粘模，减少脱模形成的产品崩边、掉金属层，下降报废率。

6. 适配脱脂排气工艺:便于在型腔底部、侧壁规划微细排气通道，让生坯内粘结剂在升温脱脂阶段顺利排出，防止IC管壳鼓泡、开裂、分层。

7. 可规划自重微压结构:搭配石墨上压块，依靠自重施加均匀微压力，按捺陶瓷生坯高温蠕变变形，改善IC 管壳平面度。

固有缺陷

1. 有氧高温环境极易氧化损耗:在高于500℃的含氧环境会氧化烧蚀，必须在真空或许氮气、氩气慵懒气氛炉内运用；长期循环运用会渐渐损耗，寿命有限。

2. 原料脆性大:抗冲击差，转移、拆装磕碰简单崩角、崩边；受力过大易开裂。

3. 重复高温循环会发生碳粉:屡次烧结后模具表面会发生细微石墨粉尘，若清洁不到位，碳粉附着IC表面会形成短路风险，需求定时清洁维护；可选用SiC涂层石墨改善掉粉与抗氧化才能。

4. 模具存在热疲劳:长期冷热交替循环，型腔边角简单发生微裂纹，需求定时检测。

半导体IC封装石墨模具，采用高纯等静压石墨制造，耐高温、热膨胀小，高温下尺度稳定，导热均匀。模具可以精细加工型腔与排气槽，既能固定IC陶瓷生坯，均匀传热，排出粘结剂气体，又不会污染芯片，防止漏电。缺陷是高温遇氧简单氧化，原料偏脆，需求在真空或慵懒气氛炉运用。